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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IPP041N04N G 

产品描述

MOSFET OptiMOS 3 Power TRANSITOR 40V 80A

内部编号

173-IPP041N04N-G

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:30
10+¥5.814
20+¥5.529
50+¥5.282
100+¥5.225
200+¥5.168
最小起订量:10
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#2

数量:360
10+¥5.814
20+¥5.529
50+¥5.282
100+¥5.225
200+¥5.168
最小起订量:10
英国伦敦
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#3

数量:350
10+¥5.814
20+¥5.529
50+¥5.282
100+¥5.225
200+¥5.168
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

IPP041N04N G产品详细规格

规格书 IPP041N04N G datasheet 规格书
IPB,IPP041N04N G
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 40V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 80A
Rds(最大)@ ID,VGS 4.1 mOhm @ 80A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 45µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 56nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 4500pF @ 20V
功率 - 最大 94W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 PG-TO220-3
包装材料 Tube

IPP041N04N G系列产品

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